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在半導體制造業(yè)中，晶圓作為芯片的基礎載體，其表面質(zhì)量直接決定了最終產(chǎn)品的性能和可靠性。晶圓在生產(chǎn)過程中，由于多種因素的影響，如材料純度、制造工藝、設備精度等，表面可能會出現(xiàn)各種缺陷，如劃痕、顆粒污染、裂紋、氧化層異常等。這些缺陷不僅會降低芯...
Subnano3D干涉輪廓儀建立在移相干涉測量(PSI)、白光垂直掃描干涉測量(VSI)和單色光垂直掃描干涉測量(CSI)等技術(shù)的基礎上，以其納米級測量準確度和重復性(穩(wěn)定性)定量地反映出被測件的表面粗糙度、表面輪廓、臺階高度、關(guān)鍵部位的尺寸及其形貌特征等。廣泛應用于集成電路制造、MEMS、航空航天、精密加工、表面工程技術(shù)、材料、太陽能電池技術(shù)等領域。Subnano3D干涉輪廓儀產(chǎn)品優(yōu)點：1、美國硅谷研發(fā)的核心技術(shù)和系統(tǒng)軟件。2、關(guān)鍵硬件采用美國、德國、日本等。3、PI納米移...
HerzTS主動隔振臺介紹：在21世紀納米技術(shù)(即先進的半導體代表相關(guān)的信息技術(shù)，基因療法等生命科學相關(guān)技術(shù)，原子或分子處理如MEMS和工程技術(shù)等新材料生產(chǎn))，振動、噪聲、電磁領域、熱、濕度、干擾等是測量環(huán)境的抑制因素。在納米技術(shù)中，為了獲得可靠的結(jié)果，使用充氣被動隔振臺無法隔離低頻振動，此時需要主動隔離。主動式隔振系統(tǒng)“TS系列”將作為21世紀納米技術(shù)的隔振技術(shù)基礎。它將有助于發(fā)展目前的技術(shù)和測量、創(chuàng)新和發(fā)展未知的技術(shù)。HerzTS主動隔振臺特點：1、在全部的6個自由度范圍...