晶圓鍵合自動(dòng)系統(tǒng)是推動(dòng)半導(dǎo)體性能擴(kuò)展的關(guān)鍵

更新時(shí)間：2022-12-30 | 點(diǎn)擊率：820

　　晶圓鍵合自動(dòng)系統(tǒng)匯集多項(xiàng)技術(shù)突破，令半導(dǎo)體行業(yè)向?qū)崿F(xiàn)3D-IC硅片通道高容量生產(chǎn)的目標(biāo)又邁進(jìn)了一步。新系統(tǒng)晶圓對(duì)晶圓排列精度是過去標(biāo)準(zhǔn)平臺(tái)的三倍，生產(chǎn)能力更是比先前高出50%，此外GEMINI FB XT平臺(tái)還為半導(dǎo)體行業(yè)應(yīng)用3D-IC及硅片通道技術(shù)掃清了幾大關(guān)鍵障礙，使半導(dǎo)體行業(yè)能夠在未來不斷提升設(shè)備密度，強(qiáng)化設(shè)備機(jī)能，同時(shí)又無需求助于越發(fā)昂貴復(fù)雜的光刻工藝技術(shù)。

　　晶圓對(duì)晶圓鍵合自動(dòng)系統(tǒng)是激活諸如堆疊式內(nèi)存，邏輯記憶以及未來互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體圖像感應(yīng)器等3D裝置的一個(gè)關(guān)鍵步驟。與此同時(shí)，是實(shí)現(xiàn)各鍵合晶圓之間電接觸點(diǎn)的硅片通道尺寸的最小化，降低3D裝置成本，支持更高水平裝置性能及帶寬，減少裝置耗電量的一個(gè)關(guān)鍵方面。然而，只有實(shí)現(xiàn)了各晶圓之間緊密排列和套準(zhǔn)精度，保證鍵合晶圓上互相連接的裝置維持高效電接觸，并且將鍵合面上的連接區(qū)域最小化，才能夠?qū)⒏嗟木A面積用于裝置生產(chǎn)。

　　根據(jù)IRDS路線圖，寄生縮放將成為未來幾年邏輯器件性能的主要驅(qū)動(dòng)力，需要新的晶體管架構(gòu)和材料。IRDS路線圖還指出，將需要新的3D集成方法（例如M3D）來支持從2D到3D VLSI的長期過渡，包括背面配電，N＆P堆棧，內(nèi)存邏輯，集群功能堆棧以及CMOS以外的功能采用。層轉(zhuǎn)移工藝和工程襯底通過幫助實(shí)現(xiàn)設(shè)備性能，功能和功耗的顯著改善，正在使邏輯縮放技術(shù)成為可能。通過等離子活化進(jìn)行直接晶圓鍵合是一種行之有效的解決方案，可實(shí)現(xiàn)不同材料的異質(zhì)集成。

　　EV Group執(zhí)行技術(shù)總監(jiān)Paul Lindner表示：“作為晶圓鍵合的先驅(qū)，EVG一直在幫助客戶將新的半導(dǎo)體技術(shù)從早期研發(fā)帶入全面生產(chǎn)方面處于蕞前沿。”“將近25年前，EVG推出了業(yè)界初款絕緣體上硅（SOI）晶圓鍵合自動(dòng)系統(tǒng)，以支持針對(duì)利基應(yīng)用的高頻和輻射硬件設(shè)備的生產(chǎn)。從那時(shí)起，我們一直在不斷提高直接鍵合平臺(tái)的性能和CoO，以幫助我們的客戶將工程基板的優(yōu)勢(shì)帶入更廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。我們?nèi)碌南到y(tǒng)解決方案將其提升到一個(gè)新的水平，從而提高了生產(chǎn)率，從而滿足了對(duì)工程襯底和層轉(zhuǎn)移處理不斷增長的需求，從而實(shí)現(xiàn)了持續(xù)的性能。

　　晶圓鍵合自動(dòng)系統(tǒng)是用于前端應(yīng)用所需的融合/直接晶圓鍵合的大批量生產(chǎn)系統(tǒng)。該系統(tǒng)采用EVG的LowTemp™等離子活化技術(shù)，在一個(gè)適用于多種熔融/分子晶片的單一平臺(tái)上，結(jié)合了熔合的所有基本步驟-包括清潔，等離子體活化，對(duì)準(zhǔn)，預(yù)結(jié)合和IR檢查。綁定應(yīng)用程序。該系統(tǒng)能夠處理200毫米和300毫米晶圓，可確保無空隙，高產(chǎn)量和高產(chǎn)量的生產(chǎn)過程。

　　晶圓鍵合自動(dòng)系統(tǒng)集成了下一代融合/直接鍵合模塊，新的晶圓處理系統(tǒng)和光學(xué)邊緣對(duì)準(zhǔn)功能，可提供更高的生產(chǎn)率和生產(chǎn)率，從而滿足客戶提高工程襯底晶圓生產(chǎn)和M3D集成的需求。

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